科眾陶瓷廠上文中介紹了碳化硅工業(yè)陶瓷的優(yōu)勢以及用途，它可作為軸承，陶瓷環(huán)，陶瓷管等多種結(jié)構(gòu)陶瓷。碳化硅陶瓷的合成與燒結(jié)比一般陶瓷更為復(fù)雜。
SiC在地球上幾乎不存在,僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn),但是在許多工廠碳化硅陶瓷都被用來作為結(jié)構(gòu)陶瓷件,運用于各行的加工機(jī)器當(dāng)中,因此,工業(yè)上應(yīng)用的SiC粉未都為人工合成。目前,合成SiC粉未的主要方法有以下四點：
1、 Acheson法
這是工業(yè)上采用最多的合成方法,即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至2500℃左右高溫反應(yīng)制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質(zhì),在制成的SiC中都固溶有少量雜質(zhì)。其中,雜質(zhì)少的呈綠色,雜質(zhì)多的呈黑色.
2、化合法
在一定的溫度下,使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應(yīng)。由此可合成高純度的β-SiC粉末,這種方法采用的比較少，在加工合成是成本消耗較大.
外徑200mm碳化硅陶瓷環(huán)
3、熱分解法
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在1200~1500℃的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng),由此制得亞微米級的β-SiC粉末。
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在1200~1500℃的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng),由此制得亞微米級的β-SiC粉末。
4、氣相反相法
使SiC4和SiH4等含硅的氣體以及CH4、C3H8、C7H8和(C?4等含碳的氣體或使使CH3SiCI3、(CH3)2SiC?2和Si(CH3)4等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應(yīng),由此制備納米級的β-SiC超細(xì)粉。
在進(jìn)行了碳化硅工業(yè)陶瓷的合成后，我們還需要進(jìn)行一步同等重要的步驟那就是陶瓷加工燒結(jié)，在之后的文章中科眾陶瓷廠會給大家詳細(xì)介紹。
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本文“碳化硅工業(yè)陶瓷的合成流程方法介紹”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時間：2021-10-16 14:41:09
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